微电子学与固体电子学这个专业就业怎么样
微电子学（Microelectronics）是电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。微电子学中实现的电路和系统又成为集成电路和集成系统，是微小化的；在微电子学中的空间尺寸通常是以微米（μm，1μm=10 − 6m）和纳米（nm，1nm=10 − 9m）为单位的。
电子学是一门以应用为主要目的的科学和技术。它主要研究电子的特性和行为，以及电子器件的物理学科。电子学涉及很多的科学门类，包括，物理、化学、数学、材料科学等。电子技术则是应用电子学的原理设计和制造电路、电子器件来解决实际问题的科学。
微电子学专业就业前景比较好，国内此类人才很稀缺，工资也很高，但是对人的学历和能力要求也很高。
微电子学和固体电子学有什么区别了
这俩门学问，或者说这两个专业，一般在高校中都设立为同一学院。 也就是说他们的共同性很大。其实这里们学问很难做严格的区分。 比如微电子，主要研究以半导体物理为基础的工程应用，比如大规模集成电路。 但是，比如半导体物理，会涉及很多固体物理，以及固体电子学的相关内容。 我倾向于说，为电子学更为广泛，固体电子学更为基础。这里的基础不是说他简单，当然固体电子学也有高深的，比如纳米电子学。
微电子学与固体电子学现在就业前景怎么样？
如果你要考两电一邮或者复旦清华之类的 那微电子比机械类的好多了 一般成电的微电子研究生是不愁工作的 而且起薪都比较高 一般7000以上 比机械类的好多了。不过需要告诉你的是 如果你想考上述几个学校那拿出比别人多一倍的精力来把 这几个学校对二本都有歧视
扩展
我准备考川大，不知道川大的怎么样，会不会歧视二本
补充
川大的微电子比较一般 但是好歹有川大的牌子在那里呢 具体会不会歧视不清楚 应该比成电强不少 因为他本身是综合类大学 更包容些吧
微电子学与固体电子学研究生就业薪酬多少
这得看你是什么档次学校毕业的，你所在学校的这个专业在全国是什么档次，还有你读研时候的成绩和论文如何？
有无专利发明等？
排名学校名称等级
1北京大学A+
2西安电子科技大学A+
3清华大学A+
4复旦大学A
5哈尔滨工业大学A
6东南大学A
7西安交通大学A
8电子科技大学A
9南京大学A
10华中科技大学A
11浙江大学A
12吉林大学A
13天津大学A
以上这些院校的微电子毕业生比较抢手，高的起薪15000都有
微电子与固体电子学的就业怎么样？拜托各位大神
微电子学与固体电子学是近年发展迅速的学科之一。它主要的研究方向有：mocvd技术与光电子器件、有机光电子材料和器件、纳米及低微结构物理与器件、新型超导材料和器件、电子新材料及器件、微结构材料分析技术。 由此可以看出，这个学科对物理要求高一些，本科时学电信和物理电子都是这个相关专业，考研究生时跨专业可以，但是我觉得前提是你学的是工科，否则会有很大难度，即使考的时候可以克服，但将来学习时肯定会遇到很多困难的。
微电子与固体电子学 研究生 以后的就业前景怎么样
专业是很好，但是只限于电路设计方向。亲若是要考这个专业，一定要选一个电路方向的老师，研究生阶段做做项目，出去之后进公司做工程师还是很好的。芯片设计收入很高，上海这边刚入行的月薪1W左右，以后有多大是升值空间就看个人发展，但相对工作压力也很大，加班是家常便饭，男生拼一拼合适，女生就要慎重。
微电子学与固体电子学和材料学这两个专业哪个好些 哪个好就业些？？？
兄弟 你没有说清楚微电子学与固体电子学本身就包括材料研究，材料学可能你的意思是生化方面还是指电子材料方面？建议你最好弄清楚。。微电子学与固体电子学包括集成电路设计和材料工艺 查看原帖>>
记得啊
微电子学与固体电子学中的工艺方向的研究生就业前景怎么样？
我是复旦微电，一般工艺方向的研究生就业前3年的年薪肯定没有设计（这里只数字，模拟，CAD的平均值）的高，但是在5年后工艺工程师的年薪就开始涨，10年左右会于设计的持平。还有国内半导体行业未来至少20年形式都很好，至少复旦微电子工艺方向出来的研究生（MS or MEng）从来都没有找不到工作的。来考复旦微电吧，咱们明年会建成一个投资10亿的clean room，yellow room设计达到Class 100. E-beam啥的都有，你明年过来会很值的！
微电子学与固体电子学是干嘛的？
“微电子学与固态电子学”是现代信息技术的内核与支柱。本学科主要研究内容：（1） 信息光电子学和光通讯。（2） 超高速微电子学和高速通讯技术。（3） 功率半导体器件和功率集成电路。（4） 半导体器件可靠性物理。（5） 现代集成模块与系统集成技术。
研究方向简介
信息光电子学和光通讯
研究内容：具有全新物理思想和创新性器件结构的高效半导体激光器、高效高亮度发光管和新型中远红外探测器，研究光通讯、光电信号、图象处理，研究光电探测、控制等激光、发光、红外光电子信息技术和应用系统。本方向有项目博士后流动站。
超高速微电子学和高速通信技术
本方向主要研究具有全新物理思想和结构的异质结超高频（高速）器件及超高频（高速）电路，特别是超高频低噪声SiGe/Si HBT、IC和光通讯、移动通讯、高速计算相关的电路和通讯应用系统，具有极重要科学价值和极广阔的应用前景。
功率半导体器件与功率集成电路
本方向包括两方面研究内容：电力电子器件与灵巧功率集成电路研究以及微波功率半导体器件与微波集成电路研究。分别简介如下：
电力电子器件与灵巧功率集成电路研究的根本用途是进行电能的变换与控制，它的应用已渗透到通讯、机电一体化等各个领域。本室在从事处于国际前沿地位的研究工作，提出了不少具有国际创新思想的新的器件结构和工作原理，如：新结构的超高速双极功率开关管、新结构超低损耗IGBT、新结构高速集成电路等。
微波功率半导体器件与微波集成电路研究是微波通讯、雷达、各种军事电子对抗等微波设备与系统的心脏。本研究室正在从事着具有国际创新结构的新器件及集成电路的研究。
半导体器件可靠性
本方向从事微电子器件可靠性物理的研究（各种类型的分立半导体器件、集成电路和模块）。可靠性被列为四大共性技术之一，是目前国际上最为活跃的研究和发展的一个领域。目前的研究方向主要包括四个方向：
VLSI/ULSI互连技术及可靠性的研究：随着电路的高密度化、高速化，互连技术已成为VLSI/ULSI继续向前发展的一个瓶颈。本研究室在此领域处于国际前沿的研究工作。
高速微电子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件、MMIC的可靠性及评价技术。
GaN宽带隙半导体器件的可靠性及评价技术：重点研究宽带隙半导体材料、器件及相关的可靠性问题。
半导体热测量，热失效分析和热设计：主要研究各种功率半导体器件、集成电路和光电子器件，各种热测量技术（nm级区域），热失效分析及热设计，本研究室在这一领域处于国际前沿地位的研究工作。
现代集成模块与系统集成技术
本方向包含两方面研究内容。其一是研究以IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MCM（多芯片组件）为代表的现代集成模块及组件：模块和组件工作原理、设计及制作方法，封装热应力设计，应用与可靠性，系统测试方法和模拟设计；其二是研究半定制ASIC设计和现代系统集成技术。