场效应管测量，场效应管的测量方法

场效应管的测量方法

可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。

场效应管的测量方法

我们主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。

如何测试判断场效应管好坏？

1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，

2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，

3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿

场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

MOS 场效应管电源开关电路

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

场效应管在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

C-MOS 场效应管（增强型 MOS 场效应管）

电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

场效应管的测量方法有哪些？

可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。

场效应管的测量方法

我们主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。

场效应管的测量方法。

朋友，你参考一下下面这些。场效应管的识别方法及测量一、符号：　“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件

场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极）

Ｓ极为源极（输出极）

Ｇ极为栅极（控制极）

Ｄ极和Ｓ极可互换使用

场效应管图例：

二、　场效应管的分类：

场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、　场效应管的特性：

1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压

2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高

3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通

4、场管的ＤＳ功能可互换

Ｎ沟道场管的导通截止电压：

导通条件：ＶＧ>ＶＳ　，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大

截止条件：ＶＧ<ＶＳ　，ＩＤ没有电流或有很小的电流

四、　场效应管的作用：

放大、调制、谐振、开关
五、　场效应管的测量及好坏判断

1、测量

极性及管型判断

红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道

红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道

如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿

贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测

场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准

2、好坏判断

测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路

软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。

六、　场管的代换原则（只适合主板）

场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可

功率大的可以代换功率小的

技嘉主板的场管最好原值代换

七、　主板上常见的场管型号

N沟道：

702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF

中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03

外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、7030
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03

F827、F841、BPS100

P沟道：

352A、356

怎么测量场效应管？

场效应管管脚测定方法
①栅极G的测定：用万用表R×100 档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。

②漏极D、源极S及类型判定：用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2 ×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：

a．若读数由原来较大值变为0（0×10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。

b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。

场效应管好坏测量视频

场效应管测量好坏方法
（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
依据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，能够判别出结型场效应管的三个电极。详细办法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。由于对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也能够将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其他的两个电极，测其电阻值。当呈现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其他两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，阐明是PN结的反向，即都是反向电阻，能够断定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向PN结，即是正向电阻，断定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不呈现上述状况，能够互换黑、红表笔按上述办法停止测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值能否相符去判别管的好坏。详细办法：首先将万用表置于R×10或R×100档，丈量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），假如测得阻值大于正

场效应管G S D的测量方法

G极与D极和S极无论怎样测量都是不通的。。用指针万用表打到X10K档或X1K档可以触发场效应管，让它工作。方法是：黑表笔接G极，红表笔接S极，然后红表笔不动，黑表笔接D极，你会发现场效应管开通了，就是有很小的阻值了，说明管子在正常工作了。。然后黑表笔接S极，红表笔接G极，再次用黑表笔接D极，红表笔接S极，你会发现场效应管关断了（不工作了）。也就是G极控制D极与S极的导通与关断。给G极加正电压，D与S开通，加反电压是关断。

你说S极与D极有阻值。那是因为这D极和S极上加了一个二极管，所以会有一个二极管特性。

有些场效应管没有加二极管，所以S极与D极没有二极管特性。无穷大是正常的。

如果加了二极管的你量不出有二极管特性，那么这个场效应管坏了。

场效应管检测方法一样吗

教你一个简单方法：凡中、大功率的场效应管，其管脚排列都一样。判别方法为：散热片对着自己(即无字安装面对自己，没散热片也一样)，管脚朝上，从左到右：G、D、S，散热片连着D．好坏测试： N沟：指针万用表一个，用R×10K(没有R×10K时用R×1K)档。黑笔接D(散热片的螺孔)，红笔接S，这时电阻为无穷大(指针不动)。用一个手指同时按住左边两个脚，指针大幅向右偏转(偏转越大放大能力越大)。 P沟：红笔接D(散热片的螺孔)，黑笔接S，这时电阻为无穷大(指针不动)。用一个手指同时按住左边两个脚，指针大幅向右偏转(偏转越大放大能力越大)。重新测试时须将三脚短路一下再测。

场效应管好坏测试判断方法

2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，

3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

MOS 场效应管电源开关电路

C-MOS 场效应管（增强型 MOS 场效应管）

场效应管的好坏如何测量？

以N沟道场效应管8N60为例：

1、万用表切换到欧姆表的“x10k”档，将G、S两极短接，黑表笔接D极、红表笔接S极，显示的电阻值应该为∞。

2、档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。

如果是这样，表面上看管子是好的。

P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。

由于场效应管栅源开启电压通常高于2V（少数型号除外），因此 x1、x10、x100等档位是不行的，因为内部电池是1.5V的，而 x10k档电池通常至少为9V。